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英飞凌推出高功率高效率应用的高压MOSFET

http://www.szhhe.com 2017年4月5日


    英飞凌科技股份有限公司扩增旗下CoolMOS技术产品系列,推出 600V CoolMOS P7和600V CoolMOS C7 Gold (G7)系列
  能够以600V崩溃电压运作,具有更佳的超接面MOSFET效能,可让各种目标应用达到无可比拟的功率密度。
  600V CoolMOS P7:高效率和易用性的最适组合
  新推出的P7在一体化设计的流程中提供出色的易用性,基准的效率和最佳的性价比,目标应用包括:
  充电器、适配器、照明、电视、PC 电源、太阳能、伺服器、电信及EV充电等,可涵盖100W至15kW的功率等级。
  600V CoolMOS P7可在各种拓朴中实现多达1.5%的效率提升,温度改善亦较竞争产品多达4.2℃。
  600V CoolMOS P7产品拥有37mΩ至600mΩ的宽广通态电阻RDS(on)范围,提供表面粘着(SMD)或插入型封装,适合多种应用与功率范围。
  此外,超过2kV(HBM)的卓越ESD耐用性,可保护装置避免因生产过程中的静电放电而损坏,进而提升了制造品质。
  最后,强固的本体二极体则能在LLC电路的硬式换流事件中保护装置。
  600V CoolMOS C7 Gold:创新SMD TO无引线封装实现同级最佳FOM
  G7具有更低的通态电阻RDS(on)、最小的闸极电荷QG、更低的输出电容储存电力以及TO无引线封装提供的4接脚Kelvin源极功能,
  可将PFC与LLC电路的耗损降到最低,实现0.6%的效能提升,并提高PFC电路的全负载效率。低寄生源电感仅1nH,亦有助于提高效率水准。
  TO无引线封装拥有更佳的散热性,适用于更高电流的设计。而SMD技术则有利于节省黏着製程成本。此外,600V CoolMOS C7 Gold拥有业界最低的RDS(on),
  介于28mΩ至150mΩ。相较于传统的D2PAK封装,其尺寸缩小30%、高度减少50%、空间节省60%。
  综合上述特性,使本产品极适合应用于伺服器、电信、工业与太阳能等需求最高效能与基准功率密度的应用。
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